Atomi méretű memóriák kísérleti vizsgálata

Nyomtatóbarát változatNyomtatóbarát változat
Típus: 
BSc szakdolgozat téma - alkalmazott fizika
BSc szakdolgozat téma - fizikus
Félév: 
2017/18/2.
Témavezető: 
Név: 
Dr. Halbritter András Ernő
Email cím: 
halbritt@mail.bme.hu
Intézet/Tanszék/Cégnév: 
Fizika Tanszék
Beosztás: 
egyetemi tanár, tanszékvezető
Hallgató: 
Név: 
Balogh Nóra
Képzés: 
Fizika BSc - fizikus
Elvárások: 

Szilárdtestfizikai és méréstechnikai ismeretek, jó kísérletező készség, számítógépes mérsvezérlési ismeretek, angol nyelvtudás

Leírás: 
Az elmúlt időszak kutatásai rámutattak, hogy a jelenlegi félvezető eszközöknél lényegesen kisebb, közeli atomi méretű memóriaegységek hozhatók létre rezisztív kapcsoláson alapuló memrisztorok segítségével. A memrisztorok olyan passzív áramköri elemek, amiknek az ellenállása függ az előéletüktől. Egy ionosan vezető nanokontaktusban megfelelően nagy feszültség hatására kialakítható egy jól vezető, fémes nanovezeték a két elektróda között, míg ellentétes polaritású feszültséggel ez a nanovezeték lebontható, azaz megfelelően nagy feszültség segítségével információt írhatunk egy parányi nanokontaktusba, míg alacsony feszültségnél a memória állapotának megváltoztatása nélkül kiolvashatjuk az információt. Mivel a memrisztorok analóg memóriák, így az idegrendszer modellezésére is kiválóan használhatók.
 
A szakdolgozó közel atomi méretű memrisztorok kutatásába kapcsolódik be újszerű memrisztív rendszerek kapcsolási dinamikájának kísérleti vizsgálatán keresztül.