Szilárdtestfizikai és méréstechnikai ismeretek, jó kísérletező készség, számítógépes mérésvezérlési ismeretek, angol nyelvtudás
Napjainkban számos területen folynak újszerű informatikai építőelemek létrehozását megcélzó kutatások. Ezen területek közé tartozik az úgynevezett memrisztorok, azaz memóriával rendelkező ellenállások fejlesztése. Számos fizikai rendszer mutat rezisztív kapcsolást, amely során egy bizonyos küszöbfeszültség felett ellenállásváltozást okozó atomi átrendeződések zajlanak le egy elektromosan vezető nanofilamentumban. Ezen rendszerek kiválóan használhatók memóriaként, hiszen nagy negatív/pozitív feszültséggel megváltoztatható az állapotuk, kis feszültségnél viszont az ellenállásuk megváltoztatása nélkül kiolvasható az állapotuk. A memrisztorok egyik családjában (tipikusan átmenetifém-oxidokban) az atomi átrendeződésért alapvetően oxigén vakanciák mozgása felel: a feszültség hatására létrehozhatók oxigénhiányos, jól vezető filamentumok, melyek ellentétes polarizásű feszültséggel lebonthatók. Kutatócsoportunkban a közelmúltban részletesen vizsgáltuk a Nb2O5 rétegekben létrejövő reszisztív kapcsolásokat. A szakdolgozó feladata további átmenetifém-oxid memrisztorok vizsgálata, különös tekintettel az ipari felhasználás szempontjából is fontos Ta2O5 memrisztorokra. A szakdolgozat keretében a jelölt pásztázó alagútmikroszkóp segítségével hoz létre memrisztorkontaktusokat, és ezek kapcsolási jelenségeit tanulmányozza. Ezen vizsgálatok a későbbiekben -reményeink szerint- lehetőséget adnak arra, hogy a Ta2O5 memrisztorok vezetési csatornáinak jellegét tanulmányozzuk szupravezető subgap spektroszkópia segítségével.