Napjainkra hBN-be csomagolt grafén szerkezetek segítségével kívételes tulajdonságú grafén alap áramkörök készíthetőek: A szigetelő hBN rétegek megvédik a grafént a felületi szennyezőktől, hordozóban található töltés csapdáktól igy 10mm meghaladó úthosszon is ballisztikus lesz az elektronok mozgása. A szendvics szerkezet alá vagy fölé kialakított elektródák segítségével lokálisan hangolható a grafénben az elektronok száma. Nagy tisztaságú határfelületek hozhatóak létre normál vagy akár szupravezető kontaktusokkal is. Grafén mellett más 2D-s anyagok is beépíthetőek a szendvics szerkezetbe, pl. nagy spin-pálya kölcsönhatással bíró rétegek is. Ezen tulajdonságokat kihasználva hBN/grafén szendvics szerkezetekben új kvantum effektusok megfigyelése válik lehetővé: Például mágneses tér alkalmazása esetén elegendően nagy Landau gap nyitható a grafénben, hogy lokális kapuelektróda szerkezet segítségével, kvantum pöttyöket tudjunk létrehozni. Valamint topologikus szupravezető állapotok megjelenését jósolják, indukált spin-pálya kölcsönhatás és szupravezetés együttes jelenléte esetén. A közelmúltban sikeresen készítettünk hBN/grafén ill. hBN/grafén/WSe2 szendvics szerkezeteket. Ezen eredményekre építve, a diplomamunka célja, hogy a szendvics szerkezeteket kombináljuk grafén alapú kapuelektródákkal valamint szupravezető kontaktusokkal és ezek segítségével kvantum pöttyöket illetve topologikus szupravezető állapotokat detektáljunk.