Szilíciumkristályban mesterségesen létrehozott hibák kiterjedésének vizsgálata Raman-spektroszkópiával

Nyomtatóbarát változatNyomtatóbarát változat
Cím angolul: 
Investigation of the extension of artificially prepared defects in silicon crystal by Raman spectroscopy
Típus: 
MSc diplomamunka téma - nanotechnológia és anyagtudomány
Félév: 
2019/20/2.
Témavezető: 
Név: 
Tóth Sára
Email cím: 
sara.toth@semilab.hu
Intézet/Tanszék/Cégnév: 
Semilab Félvezető Fizikai Laboratórium Zrt.
Beosztás: 
vezető alkalmazásfejlesztő kutató
Konzulens: 
Név: 
Szász Krisztián
Email cím: 
szasz.krisztian@mail.bme.hu
Intézet/Tanszék: 
BME Fizikai Intézet, Fizika Tanszék
Beosztás: 
tudományos munkatárs
Hallgató: 
Név: 
Badeeb Leila
Képzés: 
Fizikus MSc - nanotechnológia és anyagtudomány
Elvárások: 

Érdeklődés kísérleti munka iránt, angol nyelvtudás.

Leírás: 

A mikroprocesszorok alapját nyújtó, szilíciumra épülő félvezetőipar kétségtelenül napjaink egyik leggyorsabban fejlődő iparága. Habár a közelmúltban számos olyan új anyag feltűnt, melyek különleges tulajdonságaikkal a jövőben felvehetik a versenyt a szilíciummal, ezek iparba való integrációja még nem megoldott.

A szilíciumhordozóra épített áramköri elemek hatékonysága szempontjából rendkívül fontos a gyártás során keletkező kristályhibák detektálása és számának minimalizálása. Az ilyen pont- (vakancia, szennyező atom), vonal- (diszlokáció) vagy felületi (törés, szemcsehatár) hibák környezetében a kötések torzulása miatt többek között mechanikai feszültség keletkezik, amely a rács gyengülését, kritikus esetben a kristály törését eredményezheti. Ezen felül a rácshibák környezetében megváltoznak az alkalmazás szempontjából kritikus elektromos vagy hővezetési tulajdonságok is. Ezért fontos a szilíciumhordozóban a mintaelőállítás során elkerülhetetlenül keletkező hibák koncentrációjának és kiterjedésének minél pontosabb ismerete. A kristályhibák környezetében a kötések torzulása miatt fellépő, lokálisan kialakult feszültségtér jól vizsgálható az egyik legelterjedtebb roncsolásmentes módszer, a Raman-spektroszkópia segítségével.

Az MSc dolgozat célja olyan mintasorozat készítése, melyben a szilícium felületén mesterségesen hozunk létre hibákat nanoindentálással, majd ezen hibák által generált feszültsémező feltérképezése Raman-spektroszkópia felhasználásával.

Titkosítas: 
Hozzáférés korlátozott (titkosított)