Érdeklődés kísérleti munka iránt, angol nyelvtudás.
A mikroprocesszorok alapját nyújtó, szilíciumra épülő félvezetőipar kétségtelenül napjaink egyik leggyorsabban fejlődő iparága. Habár a közelmúltban számos olyan új anyag feltűnt, melyek különleges tulajdonságaikkal a jövőben felvehetik a versenyt a szilíciummal, ezek iparba való integrációja még nem megoldott.
A szilíciumhordozóra épített áramköri elemek hatékonysága szempontjából rendkívül fontos a gyártás során keletkező kristályhibák detektálása és számának minimalizálása. Az ilyen pont- (vakancia, szennyező atom), vonal- (diszlokáció) vagy felületi (törés, szemcsehatár) hibák környezetében a kötések torzulása miatt többek között mechanikai feszültség keletkezik, amely a rács gyengülését, kritikus esetben a kristály törését eredményezheti. Ezen felül a rácshibák környezetében megváltoznak az alkalmazás szempontjából kritikus elektromos vagy hővezetési tulajdonságok is. Ezért fontos a szilíciumhordozóban a mintaelőállítás során elkerülhetetlenül keletkező hibák koncentrációjának és kiterjedésének minél pontosabb ismerete. A kristályhibák környezetében a kötések torzulása miatt fellépő, lokálisan kialakult feszültségtér jól vizsgálható az egyik legelterjedtebb roncsolásmentes módszer, a Raman-spektroszkópia segítségével.
Az MSc dolgozat célja olyan mintasorozat készítése, melyben a szilícium felületén mesterségesen hozunk létre hibákat nanoindentálással, majd ezen hibák által generált feszültsémező feltérképezése Raman-spektroszkópia felhasználásával.