Motiváció kísérleti munkára, erős alapok szilárdtestfizikából, angol nyelvtudás
A rezisztív kapcsoló vagy más néven memrisztor olyan nanoelektronikai eszköz, melynek ellenállása reverzibilisen változtatható számos állapot között elektromos feszültség hatására. Az aktív tartományát tipikusan 5-50 nm vastag szigetelő réteg adja, melyet két jól vezető elektróda vesz közre. Feszültséget kapcsolva a szigetelő rétegre a nagy elektromos tér hatására nanoméretű vezetési csatorna alakul ki benne, melynek vezetőképessége a kapcsolások során változtatható. Az ígéretes alkalmazási lehetőségeinek köszönhetően (pl. memória, neurális hálózatok hardver szintű megvalósítása) a rezisztív kapcsolók az elmúlt évtizedben hatalmas fejlődésen mentek keresztül és hamarosan piaci forgalomban is megjelenhetnek. Ennek ellenére még számos megválaszolatlan kérdés van a működésük során lejátszódó fizikai folyamatokkal kapcsolatban, így egyszerre folynak kutatások több tudományterületen is.
A szakdolgozat keretében a hallgató a rezisztív kapcsolók egyik csoportjával, a fázisváltó memóriákkal kapcsolatos kutatásokba kapcsolódik be. Ezen eszköz esetén az aktív tartományt adó anyag (pl. SiOx, Ge2Sb2Te5, VO2) fázisát változtatjuk jól vezető kristályos szerkezet és egy rosszul vezető másik fázis között. A hallgató részt vesz a memóriaelemek gyártási folyamatában, melynek célja a standard litográfiás eljárásokkal elérhető méretskálánál (≈10 nm) kisebb kapcsoló tartomány létrehozása. Ezek során megismerkedik az EK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet (MFA) tisztaterében található nanofabrikációs technológiákkal (elektronsugaras litográfia, vékonyréteg leválasztás), majd ezt követően a kész eszközökön elektromos méréseket végez a BME Fizika Tanszéken a bennük lejátszódó fizikai folyamatok megértése céljából.