Fémes kontaktusok közé helyezett ionos vezető vékonyrétegek lokális vegyértékállapota az eszközre kapcsolt, véges küszöbértéket meghaladó feszültséggel megváltoztatható. Ez a jellemzően atomi méretskálákon lezajló struktúrális átrendeződés az eszköz elektromos ellenállásának reverzibilis megváltozásához vezet. Az aktuális ellenállás alacsony feszültségszinteken annak befolyásolása nélkül kiolvasható, amely lehetővé teszi az ilyen két terminálos, ú.n. memrisztor egységek nem-illékony információtárolás célú felhasználását.

Az akár szub-nanoszekundumos időskálájú, stabil kapcsolási sebességekre is képes fém-oxid alapú rendszerek a közelmúltban kerültek a memrisztor kutatások előterébe. Ezen az anyagcsaládon belül a dolgozat anyagválasztását az indokolja, hogy amíg a Nb₂O₅ vékonyrétegek hagyományos mikroelektronikai ipari alkalmazásai az elmúlt 10 évben egyre bővülő tendenciát mutattak, a nióbium-pentoxidban létrehozható rezisztív kapcsolási jelenségek feltérképezése és mikroszkopikus szintű értelmezése még nem rendelkezik széleskörű irodalommal.

A szakdolgozatot készítő hallgató feladata Nb₂O₅ vékonyrétegek készítése elektrolízissel, valamint a rezisztív kapcsolási jelenségek tanulmányozása STM elrendezésben létrehozott Nb/Nb₂O₅/PtIr és Nb/Nb₂O₅/Nb nanokontaktusokban. A kísérleti munka során az elkészült vékonyrétegek felületanalitikai minősítését követően feltérképezzük a bipoláris és unipoláris kapcsolási jelleggörbék és a kontaktusok különböző szerkezeti tulajdonságainak kapcsolatát, illetve alacsony hőmérsékletű vezetőképesség méréseket végzünk a mikroszkopikus vezetési tulajdonságok jobb megértése érdekében.