A hallgató neve: Badeeb Leila | specializációja: Fizikus MSc - nanotechnológia és anyagtudomány |
A záróvizsgát szervező tanszék neve: BME Fizikai Intézet, Fizika Tanszék |
A témavezető neve:
Tóth Sára - munkahelye: Semilab Félvezető Fizikai Laboratórium Zrt. - beosztása: vezető alkalmazásfejlesztő kutató - email címe: sara.toth@semilab.hu |
A konzulens neve:
Szász Krisztián - tanszéke: BME Fizikai Intézet, Fizika Tanszék - beosztása: tudományos munkatárs - email címe: szasz.krisztian@mail.bme.hu |
A kidolgozandó feladat címe: Szilíciumkristályban mesterségesen létrehozott hibák kiterjedésének vizsgálata Raman-spektroszkópiával |
A téma rövid leírása, a megoldandó legfontosabb feladatok felsorolása: A mikroprocesszorok alapját nyújtó, szilíciumra épülő félvezetőipar kétségtelenül napjaink egyik leggyorsabban fejlődő iparága. Habár a közelmúltban számos olyan új anyag feltűnt, melyek különleges tulajdonságaikkal a jövőben felvehetik a versenyt a szilíciummal, ezek iparba való integrációja még nem megoldott. A szilíciumhordozóra épített áramköri elemek hatékonysága szempontjából rendkívül fontos a gyártás során keletkező kristályhibák detektálása és számának minimalizálása. Az ilyen pont- (vakancia, szennyező atom), vonal- (diszlokáció) vagy felületi (törés, szemcsehatár) hibák környezetében a kötések torzulása miatt többek között mechanikai feszültség keletkezik, amely a rács gyengülését, kritikus esetben a kristály törését eredményezheti. Ezen felül a rácshibák környezetében megváltoznak az alkalmazás szempontjából kritikus elektromos vagy hővezetési tulajdonságok is. Ezért fontos a szilíciumhordozóban a mintaelőállítás során elkerülhetetlenül keletkező hibák koncentrációjának és kiterjedésének minél pontosabb ismerete. A kristályhibák környezetében a kötések torzulása miatt fellépő, lokálisan kialakult feszültségtér jól vizsgálható az egyik legelterjedtebb roncsolásmentes módszer, a Raman-spektroszkópia segítségével. Az MSc dolgozat célja olyan mintasorozat készítése, melyben a szilícium felületén mesterségesen hozunk létre hibákat nanoindentálással, majd ezen hibák által generált feszültsémező feltérképezése Raman-spektroszkópia felhasználásával. |
A záróvizsga kijelölt tételei: |
Dátum: |
Hallgató aláírása: |
Témavezető aláírása*: |
Tanszéki konzulens aláírása: |
A témakiírását jóváhagyom (tanszékvezető aláírása): |
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Természettudományi Kar |
1111 Budapest, Műegyetem rakpart 3. K épület I. em. 18. www.ttk.bme.hu |