A rezisztív kapcsoló vagy más néven memrisztor olyan nanoelektronikai eszköz, melynek ellenállása reverzibilisen változtatható számos állapot között elektromos feszültség hatására. Az aktív tartományát tipikusan 5-50 nm vastag szigetelő réteg adja, melyet két jól vezető elektróda vesz közre. Feszültséget kapcsolva a szigetelő rétegre a nagy elektromos tér hatására nanoméretű vezetési csatorna alakul ki benne, melynek vezetőképessége a kapcsolások során változtatható. Az ígéretes alkalmazási lehetőségeinek köszönhetően (pl. memória, neurális hálózatok hardver szintű megvalósítása) a rezisztív kapcsolók az elmúlt évtizedben hatalmas fejlődésen mentek keresztül és hamarosan piaci forgalomban is megjelenhetnek. Ennek ellenére még számos megválaszolatlan kérdés van a működésük során lejátszódó fizikai folyamatokkal kapcsolatban, így egyszerre folynak kutatások több tudományterületen is.

A szakdolgozat keretében a hallgató a rezisztív kapcsolók egyik csoportjával, a fázisváltó memóriákkal kapcsolatos kutatásokba kapcsolódik be. Ezen eszköz esetén az aktív tartományt adó anyag (pl. SiO_x, Ge₂Sb₂Te₅, VO₂) fázisát változtatjuk jól vezető kristályos szerkezet és egy rosszul vezető másik fázis között. A hallgató részt vesz a memóriaelemek gyártási folyamatában, melynek célja a standard litográfiás eljárásokkal elérhető méretskálánál (≈10 nm) kisebb kapcsoló tartomány létrehozása. Ezek során megismerkedik az EK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet (MFA) tisztaterében található nanofabrikációs technológiákkal (elektronsugaras litográfia, vékonyréteg leválasztás), majd ezt követően a kész eszközökön elektromos méréseket végez a BME Fizika Tanszéken a bennük lejátszódó fizikai folyamatok megértése céljából.