- Introduction: Short history of semiconductor devices, More-Moore, More-than-Moore, semiconductor industry, trends, prospects, overview of the course.
- Si technogies 1 - Bulk crystal and thin film deposition techniques: Crystal growth methods, physical properties, PVD (sputtering, MBE, thermal/e-beam evaporation), CVD (MO-CVD, ALD), thermal oxidation, strain in the layers, characterization methods (surface profiler, ellipsometry, 4-probe, Hall, DLTS).
- Si technogies 2 - Patterning: Photo-, EUV-, X-ray, e-beam lithography, etching (wet, dry, reactive ion) annealing, rapid thermal annealing, wire bonding, wafer bonding, 2D/3D micromachining.
- Advanced Si devices 1: MOS capacitor, accumulation/depletion/inversion, treshold voltage, defects (interface and fix charges), C-V measurement, CCD, MOS-FET.
- Advanced Si devices 2: Scaling of MOS, high-k dielectrics, Zener tunneling, leakage issue, hot carrier effects, Strained MOS (Si, Ge, SiGe), UTB-SOI, FIN Fet, tri-gate, NW transistor, prospects (ITRS).
- Advanced Si devices 3: Memory devices (SRAM, DRAM, flash), 2D semiconductor devices, power devices, Si solar cell.
- Compound semiconductors - Physics and technology: Deposition techniques, band engineering, heterojunctions (type I, II, III), band bending, p-n heterojunction, lattice mismatch, polar semiconductors, 2DEG at heterointerfaces.
- Compound semiconductor devices: Quantum well, LED (Blue, IR), laser diode, GaAS HEMT, GaN H-FET, MESFET, high frequency noise.
- Polymeric semiconductors: materials, polymer solar cell, OLED, pressure sensors, printed electronics, perovskite solar cells.
- Sensors and actuators: MEMS, physical, chemical, biological sensors, actuators, tactile sensors, robotic applications, biointerfaces, artificial nose, skin.
- Novel device platforms 1 - Spintronic devices: Giant magnetoresistance, spin valves, MRAMs, spint transfer torque, STT RAM.
- Novel device platforms 2 - Resistive switching memories: Concept of memristors, resistors with memory, electrochemical metallization cells, valence change memories, phase change memories.
- Novel computing architectures - Brain inspired computing, analog memories with tunable plasticity, in memory computing, resistive switching crossbar devices as artificial neural networks, spiking neural networks.
BMETE11MF52
Akkreditációra benyújtás időpontja:
2019.05.31.
Akkreditációs bizottság döntési időpontja:
2019.06.28.
A tantárgy az alábbi témakörök ismeretére épít:
Szilárdtestfizika alapjai, félvezetőfizika alapjai
A tantárgy szerepe a képzés céljának megvalósításában:
TTK Fizikus MSc képzés kötelezően választható tárgya
A tantárgy részletes tematikája magyarul és angolul:
Követelmények szorgalmi időszakban:
-
Követelmények vizsgaidőszakban:
szóbeli vizsga
Pótlási lehetőségek:
A TVSZ-nek megfelelően.
Konzultációs lehetőségek:
egyéni egyeztetés alapján
Jegyzet, tankönyv, felhasználható irodalom:
Az előadó által kiadott elektronikus anyagok
Simon M. Sze, Kwok K. Ng: Physics of Semiconductor Devices
Rainer Waser: Nanoelectronics and Information Technology: Advanced Electronic Materials and Novel Devices
Kontakt óra:
28
Félévközi felkészülés órákra:
20
Felkészülés zárthelyire:
0
Zárthelyik megírása:
0
Házi feladat elkészítése:
0
Kijelölt írásos tananyag elsajátítása (beszámoló):
0
Egyéb elfoglaltság:
0
Vizsgafelkészülés:
42
Összesen:
90
Ellenőrző adat:
90
Név:
Dr. Volk János
Beosztás:
tudományos főmunkatárs
Munkahely (tanszék, kutatóintézet, stb.):
Energiatudományi Kutatóközpont, MFA
Név:
Dr. Halbritter András
Beosztás:
egyetemi tanár
Munkahely (tanszék, kutatóintézet, stb.):
Fizika Tanszék
A tanszékvezető neve:
Dr. Halbritter András